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三星再宣布增设快闪记忆体产线 估投资8兆韩元

韩国三星电子公司上月才宣布兴建5奈米晶圆代工产线,今天又再宣布将增设快闪记忆体产线,预估增加投资8兆韩元(约新台币1920亿元),规划明年下半年可开始量产。▲韩国三星电子公司1日再宣布将增设快闪记忆体产线。(图/中央社)韩联社报导,三星电子(Samsung Electronics Co.)今天宣布,将在京畿道平泽园区增设快闪记忆体产线,与5月21日宣布兴建的极紫外光微影(Extreme Ultraviolet lithography, EUV)制程产线都设于P2产线。三星电子表示,EUV晶圆代工与快闪记忆体产线所需的无尘室已动工,预计明年下半年可开始量产5奈米以下EUV制程与最先进V-NAND产品。快闪记忆体是一种在断电状态下仍不会损及储存资料的非挥发性记忆体,三星电子去年7月领先业界成功量产6世代V-NAND产品。三星电子说明,这次追加投资是为扩大因应人工智慧(AI)、物联网(IoT)等第4次工业革命的到来,以及随着5G普及成长的中长期NAND型快闪记忆体需求。平泽园区的P2产线除规划设置EUV制程产线及快产记忆体产线,部分空间也将用做DRAM产线。三星虽未公开投资金额,但业界预估5月发表的晶圆代工产线约需投入9到10兆韩元,今天宣布增设的快闪记忆体产线约需7到8兆韩元。目前正在施工中的DRAM产线至少需投资15兆韩元,粗估P2产线增设计画整体将投入33兆韩元以上。